近日，中國科學院廣州生物醫藥與健康研究院鄭輝團隊在Advanced Science期刊發表了題為“Enhanced Activities of OCT4 and SOX2 Promote Epigenetic Reprogramming by Shortening G1 Phase”的研究論文。該研究揭示了通過調控細胞周期影響表觀遺傳修飾、進而促進體細胞重編程為誘導多能干細胞（iPSCs）的新機制，為深入理解細胞命運轉變提供了新思路。

研究首先通過將轉錄激活域VP16（源自皰疹病毒）融合到兩個關鍵轉錄因子OCT4和SOX2上，構建出增強型因子組合OvSvK（OCT4-VP16/SOX2-VP16/KLF4）。結果發現，相對于經典轉錄因子組合OSK（OCT4/SOX2/KLF4），OvSvK新組合在重編程第4天就能誘導出具有生殖系嵌合能力的iPSCs，重編程速度遠超傳統方法。緊接著單細胞測序和實驗表明，OvSvK能夠顯著調控細胞周期結構改變——縮短DNA合成前期(G1期)、延長DNA合成期(S期)，從而快速建立與胚胎干細胞類似的周期模式。通過siRNA文庫對細胞周期基因的篩選，團隊獲得在OSK體系過表達細胞周期蛋白E1 基因（Ccne1）同時敲降G1/S-特異性周期蛋白-D1（Ccnd1）和多重腫瘤抑制基因（Cdkn2a）的因子組合（CCC）。該組合同樣可影響細胞周期結構、加速重編程，進一步確認了細胞周期調控在重編程過程中扮演重要角色。

隨后，研究比較分析OSK和OvSvK體系中基因表達、染色質開放水平、以及組蛋白甲基化、乙酰化等表觀遺傳修飾的異同。發現在OvSvK中高表達、但并不是被OS（OCT4/SOX2）直接調控的下游基因具有較低的H3K27me3（組蛋白H3第27位賴氨酸三甲基化）修飾水平。有趣的是，這些基因的表達和表觀修飾水平在CCC體系中具有相似現象，暗示細胞周期結構改變影響表觀修飾在子代細胞的遺傳。已有研究表明，染色質在復制之后，新合成染色質上的表觀遺傳修飾（如DNA甲基化、組蛋白修飾等）需要經歷S期?和?G2期?到?M期?的轉變（S-G2/M）后、在子代細胞G1中逐漸恢復。但是這種表觀遺傳修飾的延遲恢復對細胞命運的調控尚未有報道。緊接著，本研究結合熒光泛素化細胞周期指示系統（Fucci）以及圖像識別等方法，分析重編程中處于不同細胞周期細胞的表觀遺傳修飾水平，揭示OvSvK的G1期縮短阻礙H3K27me3恢復，進而促進基因表達水平的提高。

綜上所述，該研究闡明了OvSvK快速重編程機制，一方面融合VP16促進OS直接下游基因的表達；另一方面通過改變細胞周期結構、影響組蛋白H3K27me3對非OS直接下游基因表達的調控。該研究為理解細胞周期影響表觀遺傳修飾，進而促進細胞命運轉變提供了新視角，也為深入理解重編程機制提供了理論支持。

廣州健康院鄭輝研究員和郭琳副研究員、西湖大學裴端卿教授為該論文的共同通訊作者，郭琳副研究員為第一作者。研究項目得到國家重點研發計劃、國家自然科學基金、廣東省和廣州市科技項目以及InnoHK等項目的經費支持。

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OvSvK促進重編程機制示意圖